Reflection high-energy electron diffraction studies of semiconductor interfaces during molecular beam epitaxy growth / eingereicht von Wolfgang Braun

Saved in:
Bibliographic Details
VerfasserIn:
Place / Publishing House:Stuttgart, 1996
Year of Publication:1996
Language:English
Subjects:
Physical Description:192 S.; Ill., graph. Darst.
Notes:Zsfassung in dt. Sprache
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 01090nam#a2200325zc#4500
001 990002170600504498
005 20230131175220.0
007 tu
008 960730|1996####|||######m####|||#|#eng#c
009 AC01593067
035 |a (AT-OBV)AC01593067 
035 |a AC01593067 
035 |a (Aleph)001425488ACC01 
035 |a (DE-599)OBVAC01593067 
035 |a (EXLNZ-43ACC_NETWORK)990014254880203331 
040 |a TUW  |b ger  |d OAW  |e rakwb 
041 |a eng 
044 |c XA-DE 
100 1 |a Braun, Wolfgang  |4 aut 
245 1 0 |a Reflection high-energy electron diffraction studies of semiconductor interfaces during molecular beam epitaxy growth  |c eingereicht von Wolfgang Braun 
264 1 |a Stuttgart  |c 1996 
300 |a 192 S.  |b Ill., graph. Darst. 
500 |a Zsfassung in dt. Sprache 
502 |a Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 1996 
689 0 0 |a Galliumarsenid  |D s  |0 (DE-588)4019155-2 
689 0 1 |a Aluminiumarsenid  |D s  |0 (DE-588)4324566-3 
689 0 2 |a Molekularstrahlepitaxie  |D s  |0 (DE-588)4170399-6 
689 0 3 |a Halbleitergrenzfläche  |D s  |0 (DE-588)4158802-2 
689 0 4 |a RHEED  |D s  |0 (DE-588)4295703-5 
689 0 |5 AT-OBV  |5 UBGRAI 
970 1 |c 33 
ADM |b 2024-05-30 04:25:03 Europe/Vienna  |d 20  |f System  |c marc21  |a 2018-12-24 09:30:45 Europe/Vienna  |g false 
HOL 8 |b YWOAW  |h 26434-B  |c MAG1-3  |8 2217832460004498 
852 8 |b YWOAW  |c MAG1-3  |h 26434-B  |8 2217832460004498 
ITM |9 2217832460004498  |e 1  |m BOOK  |b +YW17280609  |i 26434-B  |2 MAG1-3  |o 19991010  |8 2317832450004498  |f 02  |p 2011-03-22 01:00:00 Europe/Vienna  |h 26434-B  |1 YWOAW  |q 2022-06-08 18:51:10 Europe/Vienna