Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik /

Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik / / Hans-Waldemar Streitwolf, Wolfram Brauer.

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Bibliographic Details
VerfasserIn:
Brauer, Wolfram,
Streitwolf, Hans-Waldemar,
Place / Publishing House:Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]
©1977
Year of Publication:2022
Edition:2., bearbeitete Auflage, Reprint 2022
Language:German
Series:Wissenschaftliche Taschenbücher ; 119
Online Access:
Physical Description:1 online resource (230 p.) :; Mit 57 Abbildungen
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Table of Contents:
  • Frontmatter
  • Berichtigungszettel
  • Vorwort zur zweiten Auflage
  • Aus dem Vorwort zur ersten Auflage
  • Inhaltsverzeichnis
  • 1. Kristallstruktur und Symmetrien
  • 1.1. Translationsgruppe
  • 1.2. Punktgruppe
  • 1.3. Fraktionelle Translationen
  • 1.4. Beispiel: fcc-Gitter
  • 2. Elektron im idealen Kristallpotential
  • 2.1. Kristallpotential
  • 2.2. Symmetrieoperatoren
  • 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren
  • 2.4. Blochsches Theorem
  • 2.5. Energiebänder
  • 2.6. Periodische Randbedingung
  • 2.7. Zustandsdichte. Kritische Punkte
  • 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. f-Summensatz
  • 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen
  • 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur
  • 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials
  • 3.2. Eigenwertproblem und Entvricklungsfunktionen
  • 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen
  • 3.4. Bindungs-Orbital-Modell
  • 3.5. Enturicklung nach ebenen Wellen
  • 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen
  • 3.7. Pseudopotential
  • 3.8. k * p-Methode
  • 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential
  • 4. Störstellen
  • 4.1. Charakterisierung von Stör stellen
  • 4.2. Effektivmassennäherung
  • 4.3. Energieniveaus von Substitutionsstörstellen
  • 5. Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht
  • 5.1. Ladungsträgerdichte in den Bändern
  • 5.2. Ladungsträgerdichte in den Störstellen
  • 5.3. Bestimmung des chemischen Potentials
  • 6. Bornsche Gitterdynamik
  • 6.1. Schwingungszweige. Phononen
  • 6.2. Phononen kleiner w- Vektoren
  • 7. Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld
  • 7.1. Mikroskopischer Quasileitfähigkeitstensor
  • 7.2. Weitere mikroskopische Responsefunktionen
  • 7.3. Näherung des selbstkonsistenten Feldes
  • 8. Elektronische optische Eigenschaften
  • 8.1. Dielektrischer Tensor
  • 8.2. Mikroskopische Theorie des dielektrischen Tensors
  • 8.3. Interbandübergänge
  • 8.4. Plasmahereich
  • 8.5. Exzitonen
  • 9. Kristallpotential im Bindungsladungsmodell. Modellpotential
  • 9.1. Nichtlineare Abschirmung des Ionenpotentials
  • 9.2. Bindungsladungsmodell
  • 9.3. Modellpotential
  • 10. Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik
  • 10.1. Bewegungsgleichung der Ionen
  • 10.2. Dynamische Matrix
  • 10.3. Effektiver Ladungstensor
  • 10.4. Polaritonen in Kristallen mit Zinkblendestruktur
  • 10.5. Gitteranteil der dielektrischen Funktion
  • 11. Elektron-Phonon-Wechselwirkung
  • 11.1. Wechselivirkungsoperator
  • 11.2. Deformationspotential
  • 11.3. Elektron-Phonon-Streuung
  • 12. Boltzmann-Gleichung
  • 13. Lösungen der Boltzmann-Gleichung
  • 13.1. Relaxationszeit
  • 13.2. Ellipsoidische Energieflächen
  • 13.3. Kohlersches Variationsverfahren
  • 14. Elektrische Leitfähigkeit
  • 14.1. Streuung an ionisierten Störstellen
  • 14.2. Deformationspotential-Streuung
  • 14.3. Polare Streuung
  • 14.4. Drude-Formel. Leitfähigkeit bei tiefen Frequenzen
  • 15. Galvanomagnetische Eifekte
  • 15.1. Jones-Zener-Lösung
  • 15.2. Hall-Effekt
  • 15.3. Magnetowiderstand
  • Appendix 1
  • Appendix 2
  • Appendix 3
  • Appendix 4
  • Appendix 5
  • Appendix 6
  • Appendix 7
  • Appendix 8
  • Appendix 9
  • Appendix 10
  • Literatur
  • Verzeichnis der wichtigsten Symbole
  • Sachverzeichnis
  • Backmatter

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