Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik / / Hans-Waldemar Streitwolf, Wolfram Brauer.
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Place / Publishing House: | Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022] ©1977 |
Year of Publication: | 2022 |
Edition: | 2., bearbeitete Auflage, Reprint 2022 |
Language: | German |
Series: | Wissenschaftliche Taschenbücher ;
119 |
Online Access: | |
Physical Description: | 1 online resource (230 p.) :; Mit 57 Abbildungen |
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505 | 0 | 0 | |t Frontmatter -- |t Berichtigungszettel -- |t Vorwort zur zweiten Auflage -- |t Aus dem Vorwort zur ersten Auflage -- |t Inhaltsverzeichnis -- |t 1. Kristallstruktur und Symmetrien -- |t 1.1. Translationsgruppe -- |t 1.2. Punktgruppe -- |t 1.3. Fraktionelle Translationen -- |t 1.4. Beispiel: fcc-Gitter -- |t 2. Elektron im idealen Kristallpotential -- |t 2.1. Kristallpotential -- |t 2.2. Symmetrieoperatoren -- |t 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren -- |t 2.4. Blochsches Theorem -- |t 2.5. Energiebänder -- |t 2.6. Periodische Randbedingung -- |t 2.7. Zustandsdichte. Kritische Punkte -- |t 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. f-Summensatz -- |t 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen -- |t 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur -- |t 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials -- |t 3.2. Eigenwertproblem und Entvricklungsfunktionen -- |t 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen -- |t 3.4. Bindungs-Orbital-Modell -- |t 3.5. Enturicklung nach ebenen Wellen -- |t 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen -- |t 3.7. Pseudopotential -- |t 3.8. k * p-Methode -- |t 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential -- |t 4. Störstellen -- |t 4.1. Charakterisierung von Stör stellen -- |t 4.2. Effektivmassennäherung -- |t 4.3. Energieniveaus von Substitutionsstörstellen -- |t 5. Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht -- |t 5.1. Ladungsträgerdichte in den Bändern -- |t 5.2. Ladungsträgerdichte in den Störstellen -- |t 5.3. Bestimmung des chemischen Potentials -- |t 6. Bornsche Gitterdynamik -- |t 6.1. Schwingungszweige. Phononen -- |t 6.2. Phononen kleiner w- Vektoren -- |t 7. Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld -- |t 7.1. Mikroskopischer Quasileitfähigkeitstensor -- |t 7.2. Weitere mikroskopische Responsefunktionen -- |t 7.3. Näherung des selbstkonsistenten Feldes -- |t 8. Elektronische optische Eigenschaften -- |t 8.1. Dielektrischer Tensor -- |t 8.2. Mikroskopische Theorie des dielektrischen Tensors -- |t 8.3. Interbandübergänge -- |t 8.4. Plasmahereich -- |t 8.5. Exzitonen -- |t 9. Kristallpotential im Bindungsladungsmodell. Modellpotential -- |t 9.1. Nichtlineare Abschirmung des Ionenpotentials -- |t 9.2. Bindungsladungsmodell -- |t 9.3. Modellpotential -- |t 10. Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik -- |t 10.1. Bewegungsgleichung der Ionen -- |t 10.2. Dynamische Matrix -- |t 10.3. Effektiver Ladungstensor -- |t 10.4. Polaritonen in Kristallen mit Zinkblendestruktur -- |t 10.5. Gitteranteil der dielektrischen Funktion -- |t 11. Elektron-Phonon-Wechselwirkung -- |t 11.1. Wechselivirkungsoperator -- |t 11.2. Deformationspotential -- |t 11.3. Elektron-Phonon-Streuung -- |t 12. Boltzmann-Gleichung -- |t 13. Lösungen der Boltzmann-Gleichung -- |t 13.1. Relaxationszeit -- |t 13.2. Ellipsoidische Energieflächen -- |t 13.3. Kohlersches Variationsverfahren -- |t 14. Elektrische Leitfähigkeit -- |t 14.1. Streuung an ionisierten Störstellen -- |t 14.2. Deformationspotential-Streuung -- |t 14.3. Polare Streuung -- |t 14.4. Drude-Formel. Leitfähigkeit bei tiefen Frequenzen -- |t 15. Galvanomagnetische Eifekte -- |t 15.1. Jones-Zener-Lösung -- |t 15.2. Hall-Effekt -- |t 15.3. Magnetowiderstand -- |t Appendix 1 -- |t Appendix 2 -- |t Appendix 3 -- |t Appendix 4 -- |t Appendix 5 -- |t Appendix 6 -- |t Appendix 7 -- |t Appendix 8 -- |t Appendix 9 -- |t Appendix 10 -- |t Literatur -- |t Verzeichnis der wichtigsten Symbole -- |t Sachverzeichnis -- |t Backmatter |
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