Physikalische Chemie der Halbleiter /

Physikalische Chemie der Halbleiter / / Arnold Heinrich.

Saved in:
Bibliographic Details
Superior document:Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990
VerfasserIn:
Heinrich, Arnold,
Place / Publishing House:Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]
©1978
Year of Publication:2022
Edition:Reprint 2021
Language:German
Series:Wissenschaftliche Taschenbücher ; 254
Online Access:
Physical Description:1 online resource (198 p.) :; Mit 47 Abbildungen und 2 Tabellen
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id 9783112595725
ctrlnum (DE-B1597)611523
(OCoLC)1306540951
collection bib_alma
record_format marc
spelling Heinrich, Arnold, author. aut http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
Physikalische Chemie der Halbleiter / Arnold Heinrich.
Reprint 2021
Berlin ; Boston : De Gruyter, [2022]
©1978
1 online resource (198 p.) : Mit 47 Abbildungen und 2 Tabellen
text txt rdacontent
computer c rdamedia
online resource cr rdacarrier
text file PDF rda
Wissenschaftliche Taschenbücher ; 254
Frontmatter -- Berichtigung -- Vorwort -- Inhaltsverzeichnis -- Häufig verwendete Symbole -- 1. Halbleiter und ihre chemische Bindung -- 1.1. Übersicht über die wichtigsten Halbleiter -- 1.2. Grenzfälle der chemischen Bindung und Energiebändermodell -- 1.3. Energiebändermodell und Ionizität der chemischen Bindung -- 2. Fehlordnungsreaktionen in Kristallen -- Einleitung -- 2.1. Übersicht über die Gitterfehler -- 2.2. Störstellenionisation -- 2.3. Kinetik und Gleichgewicht elektronischer Reaktionen -- 2.4. Zur Formulierung und statistisch-thermodynamischen Behandlung von Störstellenreaktionen -- 2.5. Zur statistisch-thermodynamischen Behandlung elektronischer Reaktionen -- 2.6. Gekoppelte Gleichgewichte bei der Dotierung -- 2.7. Störstellenwechselwirkung und Assoziation -- 2.8. Partialgleichgewichte -- 3. Diffusion und Fehlordnung in Elementhalbleitern -- 3.1. Allgemeines zur Störstellendiffusion -- 3.2. Diffusion neutraler Zwischengitterstörstellen -- 3.3. Diffusion geladener Störstellen -- 3.4. Thermodynamisehe Behandlung der Diffusion -- 3.5. Leerstellenmechahismus der Diffusion -- 3.6. Dissoziativer Mechanismus der Diffusion -- 4. Fehlordnung und Diffusion in Verbindungshalbleitern -- 4.1. Einführung (Zustandsdiagramm) -- 4.2. Gleichgewichte mit neutralen Eigenstörstellen -- 4.3. Gleichgewichte mit ionisierten Eigenstörstellen -- 4.4. Dotierungsgleichgewichte und Selbstkompensation -- 4.5. Diffusion in Verbindungshalbleitern -- 5. Deckschichtbildung durch Reaktion Kristall —Gas (Thermische Si-Oxydation) -- 5.1. Grundlegende Befunde -- 5.2. Elektrochemie der thermischen Si-Oxydation -- Weiterführende Literatur -- Sachverzeichnis -- Backmatter
restricted access http://purl.org/coar/access_right/c_16ec online access with authorization star
Mode of access: Internet via World Wide Web.
In German.
Description based on online resource; title from PDF title page (publisher's Web site, viewed 24. Apr 2022)
SCIENCE / Physics / Condensed Matter. bisacsh
Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990 9783110637243 ZDB-23-GPS
print 9783112595718
https://doi.org/10.1515/9783112595725
https://www.degruyter.com/isbn/9783112595725
Cover https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112595725/original
language German
format eBook
author Heinrich, Arnold,
Heinrich, Arnold,
spellingShingle Heinrich, Arnold,
Heinrich, Arnold,
Physikalische Chemie der Halbleiter /
Wissenschaftliche Taschenbücher ;
Frontmatter --
Berichtigung --
Vorwort --
Inhaltsverzeichnis --
Häufig verwendete Symbole --
1. Halbleiter und ihre chemische Bindung --
1.1. Übersicht über die wichtigsten Halbleiter --
1.2. Grenzfälle der chemischen Bindung und Energiebändermodell --
1.3. Energiebändermodell und Ionizität der chemischen Bindung --
2. Fehlordnungsreaktionen in Kristallen --
Einleitung --
2.1. Übersicht über die Gitterfehler --
2.2. Störstellenionisation --
2.3. Kinetik und Gleichgewicht elektronischer Reaktionen --
2.4. Zur Formulierung und statistisch-thermodynamischen Behandlung von Störstellenreaktionen --
2.5. Zur statistisch-thermodynamischen Behandlung elektronischer Reaktionen --
2.6. Gekoppelte Gleichgewichte bei der Dotierung --
2.7. Störstellenwechselwirkung und Assoziation --
2.8. Partialgleichgewichte --
3. Diffusion und Fehlordnung in Elementhalbleitern --
3.1. Allgemeines zur Störstellendiffusion --
3.2. Diffusion neutraler Zwischengitterstörstellen --
3.3. Diffusion geladener Störstellen --
3.4. Thermodynamisehe Behandlung der Diffusion --
3.5. Leerstellenmechahismus der Diffusion --
3.6. Dissoziativer Mechanismus der Diffusion --
4. Fehlordnung und Diffusion in Verbindungshalbleitern --
4.1. Einführung (Zustandsdiagramm) --
4.2. Gleichgewichte mit neutralen Eigenstörstellen --
4.3. Gleichgewichte mit ionisierten Eigenstörstellen --
4.4. Dotierungsgleichgewichte und Selbstkompensation --
4.5. Diffusion in Verbindungshalbleitern --
5. Deckschichtbildung durch Reaktion Kristall —Gas (Thermische Si-Oxydation) --
5.1. Grundlegende Befunde --
5.2. Elektrochemie der thermischen Si-Oxydation --
Weiterführende Literatur --
Sachverzeichnis --
Backmatter
author_facet Heinrich, Arnold,
Heinrich, Arnold,
author_variant a h ah
a h ah
author_role VerfasserIn
VerfasserIn
author_sort Heinrich, Arnold,
title Physikalische Chemie der Halbleiter /
title_full Physikalische Chemie der Halbleiter / Arnold Heinrich.
title_fullStr Physikalische Chemie der Halbleiter / Arnold Heinrich.
title_full_unstemmed Physikalische Chemie der Halbleiter / Arnold Heinrich.
title_auth Physikalische Chemie der Halbleiter /
title_alt Frontmatter --
Berichtigung --
Vorwort --
Inhaltsverzeichnis --
Häufig verwendete Symbole --
1. Halbleiter und ihre chemische Bindung --
1.1. Übersicht über die wichtigsten Halbleiter --
1.2. Grenzfälle der chemischen Bindung und Energiebändermodell --
1.3. Energiebändermodell und Ionizität der chemischen Bindung --
2. Fehlordnungsreaktionen in Kristallen --
Einleitung --
2.1. Übersicht über die Gitterfehler --
2.2. Störstellenionisation --
2.3. Kinetik und Gleichgewicht elektronischer Reaktionen --
2.4. Zur Formulierung und statistisch-thermodynamischen Behandlung von Störstellenreaktionen --
2.5. Zur statistisch-thermodynamischen Behandlung elektronischer Reaktionen --
2.6. Gekoppelte Gleichgewichte bei der Dotierung --
2.7. Störstellenwechselwirkung und Assoziation --
2.8. Partialgleichgewichte --
3. Diffusion und Fehlordnung in Elementhalbleitern --
3.1. Allgemeines zur Störstellendiffusion --
3.2. Diffusion neutraler Zwischengitterstörstellen --
3.3. Diffusion geladener Störstellen --
3.4. Thermodynamisehe Behandlung der Diffusion --
3.5. Leerstellenmechahismus der Diffusion --
3.6. Dissoziativer Mechanismus der Diffusion --
4. Fehlordnung und Diffusion in Verbindungshalbleitern --
4.1. Einführung (Zustandsdiagramm) --
4.2. Gleichgewichte mit neutralen Eigenstörstellen --
4.3. Gleichgewichte mit ionisierten Eigenstörstellen --
4.4. Dotierungsgleichgewichte und Selbstkompensation --
4.5. Diffusion in Verbindungshalbleitern --
5. Deckschichtbildung durch Reaktion Kristall —Gas (Thermische Si-Oxydation) --
5.1. Grundlegende Befunde --
5.2. Elektrochemie der thermischen Si-Oxydation --
Weiterführende Literatur --
Sachverzeichnis --
Backmatter
title_new Physikalische Chemie der Halbleiter /
title_sort physikalische chemie der halbleiter /
series Wissenschaftliche Taschenbücher ;
series2 Wissenschaftliche Taschenbücher ;
publisher De Gruyter,
publishDate 2022
physical 1 online resource (198 p.) : Mit 47 Abbildungen und 2 Tabellen
edition Reprint 2021
contents Frontmatter --
Berichtigung --
Vorwort --
Inhaltsverzeichnis --
Häufig verwendete Symbole --
1. Halbleiter und ihre chemische Bindung --
1.1. Übersicht über die wichtigsten Halbleiter --
1.2. Grenzfälle der chemischen Bindung und Energiebändermodell --
1.3. Energiebändermodell und Ionizität der chemischen Bindung --
2. Fehlordnungsreaktionen in Kristallen --
Einleitung --
2.1. Übersicht über die Gitterfehler --
2.2. Störstellenionisation --
2.3. Kinetik und Gleichgewicht elektronischer Reaktionen --
2.4. Zur Formulierung und statistisch-thermodynamischen Behandlung von Störstellenreaktionen --
2.5. Zur statistisch-thermodynamischen Behandlung elektronischer Reaktionen --
2.6. Gekoppelte Gleichgewichte bei der Dotierung --
2.7. Störstellenwechselwirkung und Assoziation --
2.8. Partialgleichgewichte --
3. Diffusion und Fehlordnung in Elementhalbleitern --
3.1. Allgemeines zur Störstellendiffusion --
3.2. Diffusion neutraler Zwischengitterstörstellen --
3.3. Diffusion geladener Störstellen --
3.4. Thermodynamisehe Behandlung der Diffusion --
3.5. Leerstellenmechahismus der Diffusion --
3.6. Dissoziativer Mechanismus der Diffusion --
4. Fehlordnung und Diffusion in Verbindungshalbleitern --
4.1. Einführung (Zustandsdiagramm) --
4.2. Gleichgewichte mit neutralen Eigenstörstellen --
4.3. Gleichgewichte mit ionisierten Eigenstörstellen --
4.4. Dotierungsgleichgewichte und Selbstkompensation --
4.5. Diffusion in Verbindungshalbleitern --
5. Deckschichtbildung durch Reaktion Kristall —Gas (Thermische Si-Oxydation) --
5.1. Grundlegende Befunde --
5.2. Elektrochemie der thermischen Si-Oxydation --
Weiterführende Literatur --
Sachverzeichnis --
Backmatter
isbn 9783112595725
9783110637243
9783112595718
url https://doi.org/10.1515/9783112595725
https://www.degruyter.com/isbn/9783112595725
https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112595725/original
illustrated Not Illustrated
doi_str_mv 10.1515/9783112595725
oclc_num 1306540951
work_keys_str_mv AT heinricharnold physikalischechemiederhalbleiter
status_str n
ids_txt_mv (DE-B1597)611523
(OCoLC)1306540951
carrierType_str_mv cr
hierarchy_parent_title Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990
is_hierarchy_title Physikalische Chemie der Halbleiter /
container_title Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990
_version_ 1806145514202202112
fullrecord <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>03862nam a22005775i 4500</leader><controlfield tag="001">9783112595725</controlfield><controlfield tag="003">DE-B1597</controlfield><controlfield tag="005">20220424125308.0</controlfield><controlfield tag="006">m|||||o||d||||||||</controlfield><controlfield tag="007">cr || ||||||||</controlfield><controlfield tag="008">220424t20221978gw fo d z ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783112595725</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">10.1515/9783112595725</subfield><subfield code="2">doi</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-B1597)611523</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)1306540951</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-B1597</subfield><subfield code="b">eng</subfield><subfield code="c">DE-B1597</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="072" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">SCI077000</subfield><subfield code="2">bisacsh</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Heinrich, Arnold, </subfield><subfield code="e">author.</subfield><subfield code="4">aut</subfield><subfield code="4">http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Physikalische Chemie der Halbleiter /</subfield><subfield code="c">Arnold Heinrich.</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Reprint 2021</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin ;</subfield><subfield code="a">Boston : </subfield><subfield code="b">De Gruyter, </subfield><subfield code="c">[2022]</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="4"><subfield code="c">©1978</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 online resource (198 p.) :</subfield><subfield code="b">Mit 47 Abbildungen und 2 Tabellen</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">text</subfield><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">computer</subfield><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">online resource</subfield><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="347" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">text file</subfield><subfield code="b">PDF</subfield><subfield code="2">rda</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Wissenschaftliche Taschenbücher ;</subfield><subfield code="v">254</subfield></datafield><datafield tag="505" ind1="0" ind2="0"><subfield code="t">Frontmatter -- </subfield><subfield code="t">Berichtigung -- </subfield><subfield code="t">Vorwort -- </subfield><subfield code="t">Inhaltsverzeichnis -- </subfield><subfield code="t">Häufig verwendete Symbole -- </subfield><subfield code="t">1. Halbleiter und ihre chemische Bindung -- </subfield><subfield code="t">1.1. Übersicht über die wichtigsten Halbleiter -- </subfield><subfield code="t">1.2. Grenzfälle der chemischen Bindung und Energiebändermodell -- </subfield><subfield code="t">1.3. Energiebändermodell und Ionizität der chemischen Bindung -- </subfield><subfield code="t">2. Fehlordnungsreaktionen in Kristallen -- </subfield><subfield code="t">Einleitung -- </subfield><subfield code="t">2.1. Übersicht über die Gitterfehler -- </subfield><subfield code="t">2.2. Störstellenionisation -- </subfield><subfield code="t">2.3. Kinetik und Gleichgewicht elektronischer Reaktionen -- </subfield><subfield code="t">2.4. Zur Formulierung und statistisch-thermodynamischen Behandlung von Störstellenreaktionen -- </subfield><subfield code="t">2.5. Zur statistisch-thermodynamischen Behandlung elektronischer Reaktionen -- </subfield><subfield code="t">2.6. Gekoppelte Gleichgewichte bei der Dotierung -- </subfield><subfield code="t">2.7. Störstellenwechselwirkung und Assoziation -- </subfield><subfield code="t">2.8. Partialgleichgewichte -- </subfield><subfield code="t">3. Diffusion und Fehlordnung in Elementhalbleitern -- </subfield><subfield code="t">3.1. Allgemeines zur Störstellendiffusion -- </subfield><subfield code="t">3.2. Diffusion neutraler Zwischengitterstörstellen -- </subfield><subfield code="t">3.3. Diffusion geladener Störstellen -- </subfield><subfield code="t">3.4. Thermodynamisehe Behandlung der Diffusion -- </subfield><subfield code="t">3.5. Leerstellenmechahismus der Diffusion -- </subfield><subfield code="t">3.6. Dissoziativer Mechanismus der Diffusion -- </subfield><subfield code="t">4. Fehlordnung und Diffusion in Verbindungshalbleitern -- </subfield><subfield code="t">4.1. Einführung (Zustandsdiagramm) -- </subfield><subfield code="t">4.2. Gleichgewichte mit neutralen Eigenstörstellen -- </subfield><subfield code="t">4.3. Gleichgewichte mit ionisierten Eigenstörstellen -- </subfield><subfield code="t">4.4. Dotierungsgleichgewichte und Selbstkompensation -- </subfield><subfield code="t">4.5. Diffusion in Verbindungshalbleitern -- </subfield><subfield code="t">5. Deckschichtbildung durch Reaktion Kristall —Gas (Thermische Si-Oxydation) -- </subfield><subfield code="t">5.1. Grundlegende Befunde -- </subfield><subfield code="t">5.2. Elektrochemie der thermischen Si-Oxydation -- </subfield><subfield code="t">Weiterführende Literatur -- </subfield><subfield code="t">Sachverzeichnis -- </subfield><subfield code="t">Backmatter</subfield></datafield><datafield tag="506" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">restricted access</subfield><subfield code="u">http://purl.org/coar/access_right/c_16ec</subfield><subfield code="f">online access with authorization</subfield><subfield code="2">star</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In German.</subfield></datafield><datafield tag="588" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Description based on online resource; title from PDF title page (publisher's Web site, viewed 24. Apr 2022)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">SCIENCE / Physics / Condensed Matter.</subfield><subfield code="2">bisacsh</subfield></datafield><datafield tag="773" ind1="0" ind2="8"><subfield code="i">Title is part of eBook package:</subfield><subfield code="d">De Gruyter</subfield><subfield code="t">DGBA Physical Sciences &lt;1990</subfield><subfield code="z">9783110637243</subfield><subfield code="o">ZDB-23-GPS</subfield></datafield><datafield tag="776" ind1="0" ind2=" "><subfield code="c">print</subfield><subfield code="z">9783112595718</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doi.org/10.1515/9783112595725</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://www.degruyter.com/isbn/9783112595725</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="3">Cover</subfield><subfield code="u">https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112595725/original</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">EBA_BACKALL</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">EBA_DGALL</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">EBA_EBKALL</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">EBA_SSHALL</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">EBA_STMALL</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">GBV-deGruyter-alles</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PDA11SSHE</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PDA12STME</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">PDA5EBK</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="b">1990</subfield></datafield></record></collection>

Similar Items