Physikalische Chemie der Halbleiter / / Arnold Heinrich.

• Superior document: Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990
• VerfasserIn: Heinrich, Arnold,
• Place / Publishing House: Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]; ©1978
• Year of Publication: 2022
• Edition: Reprint 2021
• Language: German
• Series: Wissenschaftliche Taschenbücher ; 254
• Physical Description: 1 online resource (198 p.) :; Mit 47 Abbildungen und 2 Tabellen
• Other title: Frontmatter --; Berichtigung --; Vorwort --; Inhaltsverzeichnis --; Häufig verwendete Symbole --; 1. Halbleiter und ihre chemische Bindung --; 1.1. Übersicht über die wichtigsten Halbleiter --; 1.2. Grenzfälle der chemischen Bindung und Energiebändermodell --; 1.3. Energiebändermodell und Ionizität der chemischen Bindung --; 2. Fehlordnungsreaktionen in Kristallen --; Einleitung --; 2.1. Übersicht über die Gitterfehler --; 2.2. Störstellenionisation --; 2.3. Kinetik und Gleichgewicht elektronischer Reaktionen --; 2.4. Zur Formulierung und statistisch-thermodynamischen Behandlung von Störstellenreaktionen --; 2.5. Zur statistisch-thermodynamischen Behandlung elektronischer Reaktionen --; 2.6. Gekoppelte Gleichgewichte bei der Dotierung --; 2.7. Störstellenwechselwirkung und Assoziation --; 2.8. Partialgleichgewichte --; 3. Diffusion und Fehlordnung in Elementhalbleitern --; 3.1. Allgemeines zur Störstellendiffusion --; 3.2. Diffusion neutraler Zwischengitterstörstellen --; 3.3. Diffusion geladener Störstellen --; 3.4. Thermodynamisehe Behandlung der Diffusion --; 3.5. Leerstellenmechahismus der Diffusion --; 3.6. Dissoziativer Mechanismus der Diffusion --; 4. Fehlordnung und Diffusion in Verbindungshalbleitern --; 4.1. Einführung (Zustandsdiagramm) --; 4.2. Gleichgewichte mit neutralen Eigenstörstellen --; 4.3. Gleichgewichte mit ionisierten Eigenstörstellen --; 4.4. Dotierungsgleichgewichte und Selbstkompensation --; 4.5. Diffusion in Verbindungshalbleitern --; 5. Deckschichtbildung durch Reaktion Kristall —Gas (Thermische Si-Oxydation) --; 5.1. Grundlegende Befunde --; 5.2. Elektrochemie der thermischen Si-Oxydation --; Weiterführende Literatur --; Sachverzeichnis --; Backmatter
• Format: Mode of access: Internet via World Wide Web.
• ISBN: 9783112595725; 9783110637243
• DOI: 10.1515/9783112595725
• Access: restricted access
• Hierarchical level: Monograph
• Statement of Responsibility: Arnold Heinrich.