Einführung in die Halbleitertheorie /

Einführung in die Halbleitertheorie / / A. I. Anselm; hrsg. von Hans Neuman.

Saved in:
Bibliographic Details
Superior document:Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990
VerfasserIn:
Anselm, A. I.,
TeilnehmendeR:
Eichler, Siegfried.
HerausgeberIn:
Neuman, Hans,
Place / Publishing House:Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]
©1964
Year of Publication:2022
Edition:Reprint 2021
Language:German
Online Access:
Physical Description:1 online resource (424 p.) :; Mit 90 Abbildungen und 4 Tabellen
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Table of Contents:
  • Frontmatter
  • VORWORT ZUR DEUTSCHEN AUSGABE
  • VORWORT ZUR RUSSISCHEN AUSGABE
  • INHALTSVERZEICHNIS
  • KAPITEL I. GEOMETRIE DER KRISTALLGITTER UND BEUGUNG VON RÖNTGENSTRAHLEN
  • § 1. Einfache und zusammengesetzte Kristallgitter
  • § 2. Beispiele konkreter Kristallstrukturen
  • § 3. Gewöhnliches und reziprokes Gitter des Kristalls
  • § 4. Die Formeln von LAUE und BRAGG für die Beugung von Röntgenstrahlen in Kristallen. Atom- und Strukturfaktor der Streuung
  • KAPITEL II. DIE NATUR DER WECHSELWIRKUNGSKRÄFTE DER ATOME IN KRISTALLEN
  • § 1. Über die Wechselwirkung zwischen Atomen und Ionen
  • § 2. Ionen- und VAN DER WAALS-Kristalle
  • § 3. Atomare Kristalle und Metalle
  • KAPITEL III. DIE SCHWINGUNGEN DER ATOME EINES KRISTALLGITTERS
  • § 1. Schwingungen und Wellen im eindimensionalen (linearen) aus gleichartigen Atomen bestehenden Gitter
  • § 2. Schwingungen und Wellen in einem zusammengesetzten eindimensionalen (linearen) Kristallgitter
  • § 3. Normalkoordinaten für das einfache eindimensionale Gitter
  • § 4. Schwingungen der Atome des dreidimensionalen zusammengesetzten Kristallgitters
  • § 5. Normalschwingungen des dreidimensionalen Gitters
  • § 6. Wärmekapazität des Kristallgitters
  • § 7. Zustandsgleichung des festen Körpers
  • § 8. Phononen
  • § 9. Wärmeausdehnung und Wärmeleitfähigkeit im testen Körper
  • KAPITEL IV. ELEKTRONEN IM IDEALEN KRISTALL
  • § 1. Allgemeine Aufgabenstellung. Adiabatische Näherung
  • § 2. HARTREE-FOCK-Methode
  • § 3. Die Methoden von HEITLER-LONDON-HEISENBERG (HLH) und HUNDMULLIKEN- BLOCH (HMB) in der Elektronentheorie der Kristalle
  • § 4. Allgemeine Eigenschaften eines sich im periodischen Feld bewegenden Elektrons
  • § 5. Der Begriff des positiven Defektelektrons des fast gefällten Valenzbandes
  • § 6. Die Näherung nahezu freier (schwach gebundener) Elektronen. BRILLOUIN-Zonen
  • § 7. Die Näherung stark gebundener Elektronen
  • § 8. Die Struktur der Energiebänder für eine Reihe konkreter Halbleiter
  • KAPITEL V. LOKALISIERTE ZUSTÄNDE DES ELEKTRONS IM KRISTALL
  • § 1. Bewegung des Elektrons im gestörten periodischen Feld (Methode der effektiven Masse)
  • § 2. Lokalisierte Zustände des Elektrons im nichtidealen Kristall
  • § 3. Excitonen
  • § 4. Polaronen
  • KAPITEL VI. ELEKTRISCHE, MAGNETISCHE UND WÄRMEEIGENSCHAFTEN DES FESTEN KÖRPERS
  • § 1. Metalle, Dielektrika und Halbleiter
  • § 2. Statistisches Gleichgewicht freier Elektronen in Halbleitern und Metallen
  • § 3. Die Wärmekapazität freier Elektronen in Metallen und Halbleitern
  • § 4. Magnetische Eigenschaften der Stoffe. Der Paramagnetismus der Gase und der Leitungselektronen in Metallen und Halbleitern
  • § 5. Der Diamagnetismus der Atome und Leitfähigkeitselektronen. Magnetische Eigenschaften von Halbleitern
  • § 6. Zyklotronresonanz (diamagnetische Resonanz)
  • § 7. Der Kontakt Halbleiter — Metall. Gleichrichtung
  • § 8. Eigenschaften von p — n-Übergängen
  • KAPITEL VII. TRANSPORTGLEICHUNG UND RELAXATIONSZEIT FÜR LEITFÄHIGKEITSELEKTRONEN IN KRISTALLEN
  • § 1. Transporterscheinungen und BOLTZMANN-Gleichung
  • § 2. Die Transportgleichung für Elektronen im Kristall
  • § 3. Die Streuung der Elektronen an Gitterschwingungen im atomaren Kristall
  • § 4. Relaxationszeit der Leitungselektronen im atomaren Halbleiter und im Metall
  • § 5. Die Theorie des Deformationspotentials in kubischen Kristallen mit einfacher Bänderstruktur
  • § 6. Die Relaxationszeit der Leitungselektronen in Ionenkristallen
  • § 7. Streuung von Leitfähigkeitselektronen an geladenen und neutralen Störstellenatomen
  • KAPITEL VIII. TRANSPORTERSCHEINUNGEN IN HALBLEITERN
  • § 1. Einführung
  • § 2. Die Bestimmung der Nichtgleichgewichtsverteilungsfunktion der Leitfähigkeitselektronen im Falle sphärischer Form der Flächen konstanter Energie. Elektrische Leitfähigkeit atomarer nichtentarteter Halbleiter
  • § 3. Thermoelektrische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur
  • § 4. Galvanomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur
  • § 5. Thermomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur
  • § 6. Transporterscheinungen in nichtentarteten Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei verschiedenen Streumechanismen
  • § 7. Transporterscheinungen in Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei beliebiger Entartung der Ladungsträger
  • § 8. Transporterscheinungen in Halbleitern mit komplizierter Bänderstruktur
  • § 9. „Drag" - Effekt der Phononen in Halbleitern
  • Anhang
  • Namenverzeichnis
  • Sachverzeichnis

Similar Items