Einführung in die Halbleitertheorie / / A. I. Anselm; hrsg. von Hans Neuman.

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Superior document:Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990
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Place / Publishing House:Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]
©1964
Year of Publication:2022
Edition:Reprint 2021
Language:German
Online Access:
Physical Description:1 online resource (424 p.) :; Mit 90 Abbildungen und 4 Tabellen
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Description
Other title:Frontmatter --
VORWORT ZUR DEUTSCHEN AUSGABE --
VORWORT ZUR RUSSISCHEN AUSGABE --
INHALTSVERZEICHNIS --
KAPITEL I. GEOMETRIE DER KRISTALLGITTER UND BEUGUNG VON RÖNTGENSTRAHLEN --
§ 1. Einfache und zusammengesetzte Kristallgitter --
§ 2. Beispiele konkreter Kristallstrukturen --
§ 3. Gewöhnliches und reziprokes Gitter des Kristalls --
§ 4. Die Formeln von LAUE und BRAGG für die Beugung von Röntgenstrahlen in Kristallen. Atom- und Strukturfaktor der Streuung --
KAPITEL II. DIE NATUR DER WECHSELWIRKUNGSKRÄFTE DER ATOME IN KRISTALLEN --
§ 1. Über die Wechselwirkung zwischen Atomen und Ionen --
§ 2. Ionen- und VAN DER WAALS-Kristalle --
§ 3. Atomare Kristalle und Metalle --
KAPITEL III. DIE SCHWINGUNGEN DER ATOME EINES KRISTALLGITTERS --
§ 1. Schwingungen und Wellen im eindimensionalen (linearen) aus gleichartigen Atomen bestehenden Gitter --
§ 2. Schwingungen und Wellen in einem zusammengesetzten eindimensionalen (linearen) Kristallgitter --
§ 3. Normalkoordinaten für das einfache eindimensionale Gitter --
§ 4. Schwingungen der Atome des dreidimensionalen zusammengesetzten Kristallgitters --
§ 5. Normalschwingungen des dreidimensionalen Gitters --
§ 6. Wärmekapazität des Kristallgitters --
§ 7. Zustandsgleichung des festen Körpers --
§ 8. Phononen --
§ 9. Wärmeausdehnung und Wärmeleitfähigkeit im testen Körper --
KAPITEL IV. ELEKTRONEN IM IDEALEN KRISTALL --
§ 1. Allgemeine Aufgabenstellung. Adiabatische Näherung --
§ 2. HARTREE-FOCK-Methode --
§ 3. Die Methoden von HEITLER-LONDON-HEISENBERG (HLH) und HUNDMULLIKEN- BLOCH (HMB) in der Elektronentheorie der Kristalle --
§ 4. Allgemeine Eigenschaften eines sich im periodischen Feld bewegenden Elektrons --
§ 5. Der Begriff des positiven Defektelektrons des fast gefällten Valenzbandes --
§ 6. Die Näherung nahezu freier (schwach gebundener) Elektronen. BRILLOUIN-Zonen --
§ 7. Die Näherung stark gebundener Elektronen --
§ 8. Die Struktur der Energiebänder für eine Reihe konkreter Halbleiter --
KAPITEL V. LOKALISIERTE ZUSTÄNDE DES ELEKTRONS IM KRISTALL --
§ 1. Bewegung des Elektrons im gestörten periodischen Feld (Methode der effektiven Masse) --
§ 2. Lokalisierte Zustände des Elektrons im nichtidealen Kristall --
§ 3. Excitonen --
§ 4. Polaronen --
KAPITEL VI. ELEKTRISCHE, MAGNETISCHE UND WÄRMEEIGENSCHAFTEN DES FESTEN KÖRPERS --
§ 1. Metalle, Dielektrika und Halbleiter --
§ 2. Statistisches Gleichgewicht freier Elektronen in Halbleitern und Metallen --
§ 3. Die Wärmekapazität freier Elektronen in Metallen und Halbleitern --
§ 4. Magnetische Eigenschaften der Stoffe. Der Paramagnetismus der Gase und der Leitungselektronen in Metallen und Halbleitern --
§ 5. Der Diamagnetismus der Atome und Leitfähigkeitselektronen. Magnetische Eigenschaften von Halbleitern --
§ 6. Zyklotronresonanz (diamagnetische Resonanz) --
§ 7. Der Kontakt Halbleiter — Metall. Gleichrichtung --
§ 8. Eigenschaften von p — n-Übergängen --
KAPITEL VII. TRANSPORTGLEICHUNG UND RELAXATIONSZEIT FÜR LEITFÄHIGKEITSELEKTRONEN IN KRISTALLEN --
§ 1. Transporterscheinungen und BOLTZMANN-Gleichung --
§ 2. Die Transportgleichung für Elektronen im Kristall --
§ 3. Die Streuung der Elektronen an Gitterschwingungen im atomaren Kristall --
§ 4. Relaxationszeit der Leitungselektronen im atomaren Halbleiter und im Metall --
§ 5. Die Theorie des Deformationspotentials in kubischen Kristallen mit einfacher Bänderstruktur --
§ 6. Die Relaxationszeit der Leitungselektronen in Ionenkristallen --
§ 7. Streuung von Leitfähigkeitselektronen an geladenen und neutralen Störstellenatomen --
KAPITEL VIII. TRANSPORTERSCHEINUNGEN IN HALBLEITERN --
§ 1. Einführung --
§ 2. Die Bestimmung der Nichtgleichgewichtsverteilungsfunktion der Leitfähigkeitselektronen im Falle sphärischer Form der Flächen konstanter Energie. Elektrische Leitfähigkeit atomarer nichtentarteter Halbleiter --
§ 3. Thermoelektrische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur --
§ 4. Galvanomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur --
§ 5. Thermomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur --
§ 6. Transporterscheinungen in nichtentarteten Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei verschiedenen Streumechanismen --
§ 7. Transporterscheinungen in Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei beliebiger Entartung der Ladungsträger --
§ 8. Transporterscheinungen in Halbleitern mit komplizierter Bänderstruktur --
§ 9. „Drag" - Effekt der Phononen in Halbleitern --
Anhang --
Namenverzeichnis --
Sachverzeichnis
Format:Mode of access: Internet via World Wide Web.
ISBN:9783112525388
9783110637243
DOI:10.1515/9783112525388
Access:restricted access
Hierarchical level:Monograph
Statement of Responsibility: A. I. Anselm; hrsg. von Hans Neuman.