Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111) : : H-Einkristalloberflächen / / Martin Hugelmann.

• VerfasserIn: Hugelmann, Martin,
• Place / Publishing House: Karlsruhe, Germany : : KIT Scientific Publishing,, [2004]; ©2004
• Year of Publication: 2004
• Language: German
• Physical Description: 1 online resource (vii, 189 pages)

Zyklische Voltammetrie und elektrochemisches Rastertunnelmikroskop (STM) wurden dazu verwendet die Eignung der Metalle Co, Pb, Cu und Au zur lokalisierten Elektrodeposition auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen zu untersuchen. Dabei konnten auf atomar glatten n-Si(111):H Oberflächen abgeschiedene...

Table of Contents

• 1 Einleitung.
• 2 Grundlagen
• 2.1 Elektrochemische Grundlagen
• 2.1.1 Die Nernst-Gleichung
• 2.1.2 Das Modell der niederdimensionalen iD (i=0,1,2) Systeme
• 2.1.3 Wachstumsmechanismen2.1.4 Die Phasengrenze Festkörper/Elektrolyt.
• 2.2 Das Raster-Tunnel-Mikroskop (STM)
• 2.2.1 Das elektrochemische Raster-Tunnel-Mikroskop (EC-STM)
• 2.3 Physikalische Eigenschaften von Halbleitern
• 2.3.1 Ladungsträgererzeugung und Ladungstransport in Halbleitern. 2.3.2 Die Metall/Halbleiter-Grenzfläche.
• 2.3.3 Elektrochemie an Halbleitern
• 2.3.4 Charakterisierungsmethoden von Metall/Halbleiter-Strukturen.
• 2.4 Herstellung von Nanostrukturen im EC-STM.
• 2.4.1 Potential-induzierte-Methode.
• 2.4.2 Spitzen-induzierte-Methode.
• 2.4.3 Spitzen-induzierte-Methode nach Pötzschke.
• 2.4.4 Lokalisierte Elektrodeposition nach Schindler 2.4.5 Defekt-induzierte Strukturierung.
• 2.4.6 Lokalisierte Metallauflösung.
• 2.5 In situ Charakterisierungsmethoden im EC-STM. 2.5.1 Zyklische Voltammetrie (CV). 2.5.2 Distanz-Tunnel-Spektroskopie (DTS).
• 2.5.3 Spannungs-Tunnel-Spektroskopie (VTS).
• 2.5.4 Kontakt-Spektroskopie (CS).
• 2.5.5 Charakterisierung niederdimensionaler Strukturen.
• Experimenteller Aufbau und Präparation
• 3.1 Der Messaufbau
• 3.2 Der STM-Scanner.
• 3.3 Die elektrochemische Messumgebung. 3.3.1 Die elektrochemische STM-Zelle 3.3.2 Reinigung und Sauerstoff.
• 3.4 Die Spitzenpräparation
• 3.5 Die Probenpräparation.
• 3.5.1 Die Goldoberfläche
• 3.5.2 Die Siliziumoberfläche.
• 3.6 Chemikalienverzeichnis
• Distanz-Tunnel-Spektroskopie (DTS).
• 4.1 Der Tunnelbereich .
• 4.1.1 Messung der Abstandsabhängigkeit des Tunnelstroms
• 4.1.2 Bestimmung der Barrierenhöhe
• 4.2 Der Kontaktbereich
• 4.2.1 Messung der quantisierten Leitfähigkeit
• 4.2.2 Bestimmung der Leitfähig
• 4.2.3 Strom/Spannungs-Charakterisierung von Punktkontakten.
• 4.3 Zusammenfassung.
• Die elektrochemische Metallabscheidung auf n-Si(111):H.
• 5.1 Einleitung.
• 5.2 Charakterisierung der n-Si(111):H-Oberfläche
• 5.3 Das System Co2/n-Si(111):H.
• 5.3.1 Elektrochemische Charakterisierung
• 5.3.2 In situ STM-Untersuchungen.
• 5.3.3 Die Strom/Spannungs-Kennlinie
• 5.3.4 Zusammenfassung.
• 5.4 Das System Pb2*/n-Si(111):H
• 5.4.1 Elektrochemische Charakterisierung. 5.4.2 In situ STM-Untersuchungen
• 5.4.3 Die Strom/Spannungs-Kennlinie.
• 5.5 Das System Cu2*/n-Si(111):H.
• 5.5.1 Elektrochemische Charakterisierung 5.5.2 In situ STM-Untersuchungen.
• 5.5.3 Die Strom/Spannungs-Kennlinie 5.5.4 Zusammenfassung.
• 5.6 Das System Au/n-Si(111):H.
• 5.6.1 Elektrochemische Charakterisierung
• 5.6.2 In situ STM-Untersuchungen
• 5.6.3 Die Strom/Spannungs-Kennlinie.
• 5.6.4 Zusammenfassung.
• 5.7 Ergebnisse
• Metallische Nanostrukturen auf n-Si(111): H.
• 6.1 Die delokalisierte Elektrodeposition
• 6.2 Die lokalisierte Elektrodeposition.
• 6.3 Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111):H.
• 6.4 Zusammenfassung
• Charakterisierung von Nanodioden.
• 7.1 Kontakt-Spektroskopie an Nanodioden.
• 7.2 Erzeugung von Nanodioden
• 7.3 Ergebnisse
• 7.4 Diskussion
• 7.5 Zusammenfassung
• Zusammenfassung und Ausblick
• Anhang A
• Veröffentlichungen und Konferenzbeiträge.
• Literatur.