Growth and properties of Si1-yCy alloy layers pseudomorphically strained on Si(001) / vorgelegt von Myeongcheol Kim

Saved in:
Bibliographic Details
VerfasserIn:
Place / Publishing House:1997
Year of Publication:1997
Language:English
Subjects:
Physical Description:99 S.; Ill., graph. Darst.
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 01085nam#a2200337zc#4500
001 990002160870504498
005 20230211195346.0
007 tu
008 970925|1997####|||######m####|||#|#eng#c
009 AC00101497
035 |a (AT-OBV)AC00101497 
035 |a AC00101497 
035 |a (Aleph)001762057ACC01 
035 |a (DE-599)OBVAC00101497 
035 |a (EXLNZ-43ACC_NETWORK)990017620570203331 
040 |a TUW  |b ger  |d TUW  |e rakwb 
041 |a eng 
044 |c XA-DE 
100 1 |a Kim, Myeongcheol  |4 aut 
245 1 0 |a Growth and properties of Si1-yCy alloy layers pseudomorphically strained on Si(001)  |c vorgelegt von Myeongcheol Kim 
246 1 0 |a [Si tief 1-y C tief y] 
264 1 |c 1997 
300 |a 99 S.  |b Ill., graph. Darst. 
502 |a Berlin, Univ., Diss., 1997 
689 0 0 |a Silicium  |D s  |0 (DE-588)4077445-4 
689 0 1 |a Halbleitersubstrat  |D s  |0 (DE-588)4158813-7 
689 0 2 |a Siliciumlegierung  |D s  |0 (DE-588)4181392-3 
689 0 3 |a Kohlenstoff  |D s  |0 (DE-588)4164538-8 
689 0 4 |a Schichtwachstum  |D s  |0 (DE-588)4273432-0 
689 0 5 |a Molekularstrahlepitaxie  |D s  |0 (DE-588)4170399-6 
689 0 |5 AT-OBV  |5 UBGRAI 
970 1 |c 33 
ADM |b 2024-05-30 04:32:35 Europe/Vienna  |d 20  |f System  |c marc21  |a 2018-12-24 09:11:15 Europe/Vienna  |g false 
HOL 8 |b YWOAW  |h 26976-B  |c MAG1-3  |8 2217669220004498 
852 8 |b YWOAW  |c MAG1-3  |h 26976-B  |8 2217669220004498 
ITM |9 2217669220004498  |e 1  |m BOOK  |b +YW17346700  |i 26976-B  |2 MAG1-3  |o 19991231  |8 2317669210004498  |f 02  |p 2011-03-03 01:00:00 Europe/Vienna  |h 26976-B  |1 YWOAW  |q 2022-06-08 18:47:41 Europe/Vienna