Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures : E. D. Atanassova ...

Saved in:
Bibliographic Details
MitwirkendeR:
Place / Publishing House:Kharkiv, 2007
Year of Publication:2007
Language:English
Physical Description:216 S.; Ill., graph. Darst.; 21 cm
Notes:Zusammenfassung in engl. u. ukrain. Sprache
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 00768nam#a2200265#c#4500
001 990001546450504498
005 20230505183716.0
007 tu
008 080228|2007####|||###########|||#|#eng#c
009 AC06625199
020 |a 9660225555 
020 |a 9789660242685 
035 |a (AT-OBV)AC06625199 
035 |a AC06625199 
035 |a (Aleph)006524062ACC01 
035 |a (DE-599)OBVAC06625199 
035 |a (EXLNZ-43ACC_NETWORK)990065240620203331 
040 |a OAW  |b ger  |e rakwb 
041 |a eng 
044 |c XA-UA 
245 0 0 |a Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures  |b E. D. Atanassova ... 
264 1 |a Kharkiv  |c 2007 
300 |a 216 S.  |b Ill., graph. Darst.  |c 21 cm 
500 |a Zusammenfassung in engl. u. ukrain. Sprache 
700 1 |a Atanassova, E. D.  |4 ctb 
970 1 |c 30 
ADM |b 2023-05-05 18:37:16 Europe/Vienna  |d 20  |f System  |c marc21  |a 2018-12-24 09:39:47 Europe/Vienna  |g false 
HOL 8 |b YWOAW  |h 36411-B  |c MAG1-3  |8 2218980380004498 
852 8 |b YWOAW  |c MAG1-3  |h 36411-B  |8 2218980380004498 
ITM |9 2218980380004498  |e 1  |m BOOK  |b +YW11208500  |i 36411-B  |2 MAG1-3  |o 20080228  |8 2318980370004498  |f 02  |p 2008-02-28 01:00:00 Europe/Vienna  |h 36411-B  |1 YWOAW  |q 2022-06-08 18:59:38 Europe/Vienna