Kristall und Technik : : [Fortsetzung: Crystal Research and Technology]. / Band 4, Heft 4.

• MitwirkendeR: Adam, J.,; Ahlborn, Hans,; Alexandrov, L. N.,; Alferov, Zh. I.,; Andreyev, V. M.,; Bautsch, H.-J.,; Belov, N. V.,; Boyabskaya, Ju. S.,; Emons, H.-H.,; Grabko, D. Z.,; Greenberg, J. H.,; Iljukhin, V. V.,; Jost, K.-H.,; Kandilarov, B. D.,; Khabitonov, Yu. A.,; Kleber, W.,; Klimenko, E. A.,; Korol’kov, V. I.,; Krebs, H.,; Kumenko, A. G.,; Kuz’min, E. A.,; Kühn, G.,; Medvedeva, Z. S.,; Meleško, L. O.,; Meyer, K.,; Neels, H.,; Portnoi, E. L.,; Prokof’jev, S. V.,; Rud, Ju. V.,; Sauer, Dieter,; Schulz, M.,; Schulze, D.,; Schumann, Hermann,; Tret’yakov, D. N.,; Valkovskaya, M. I.,; Wienhold, H.,; Winkler, F.,; Zhukov, E. G.,
• Place / Publishing House: Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]; ©1969
• Year of Publication: 2022
• Edition: Reprint 2022
• Language: German
• Series: Kristall und Technik ; Band 4, Heft 4
• Physical Description: 1 online resource (184 p.)

Table of Contents

• Frontmatter
• Hinweise für die Autoren
• Inhalt
• Originalbeitrage
• Crystal Structure of K2Cr2O7, and a Structural Aspect of its Morphology
• Zur Kinetik der Phasenumwandlung in unterkühlten Schmelzen
• Über den Mechanismus von Festkörperreaktionen in Silicaten
• Chemical Transport Reactions of Boron Monophosphide and Sulfur
• Preparation and Investigation of Epitaxial Layers of AlxGta^As solid Solutions and of Heterojunctions in the AlAs—GaAs system
• Durchmischung der Schmelze chemischer Verbindungen mit Hilfe ihrer flüchtigen Komponenten im Zonenschmelzprozeß
• Untersuchungen an Systemen aus Salzen und gemischten Lösungsmitteln V
• Lifetime Characteristic of Monocrystalline Silicon Layers in Dependence on Growth Parameters
• Absorptionsspektren natürlicher Granate im Bereich von 200 bis 1500 nm und ihre Bedeutung
• Anisotropy of Hardness of Calcium Fluoride Single Crystals
• Orientierungsänderungen von Eisen-Einkristallen beim Ziehvorgang
• Einfluß plastischer Verformungen auf die y/e-Umwandlung metastabiler austenitischer Stähle
• Berichtigung
• Kurze Originalmitteiluagen
• Initial Stage of Epitaxial Growth in Thin Films
• Peculiarities of the Crystallization of Oriented Semiconductor Layers on Non-Orienting Substrates
• Lattice Dynamics and Epitaxial growth
• BUCHBESPRECHUNG
• Grundzüge der anorganischen Kristallchemie
• Physikalisch-chemische Kristallographie
• Realstruktur und Eigenschaften von Reinststoffen