Kristall und Technik : : [Fortsetzung: Crystal Research and Technology]. / Band 7, Heft 1-3.

• MitwirkendeR: Adam, J.,; Amel-Zadeh, A.,; Amthauer, G.,; Andreeff, A.,; Bernhard, F.,; Bohm, J.,; Brown, G. H.,; Brückner, W.,; Brühl, H.-G.,; Cracknell, A. P.,; Danev, G.,; Depmeier, W.,; Doane, J. W.,; Doerschel, J.,; Donnay, G.,; Donnay, J. D. H.,; Drasko, Grujic,; Däweritz, L.,; Ehrenreich, H.,; Fischer, P.,; Flörke, O. W.,; Frenzel, M.,; Fricke, P.,; Fritzsch, E.,; Frölich, F.,; Gebhardt, M.,; Givargizov, E. I.,; Godard, J.,; Gutzow, I.,; Hartmann, P.,; Hase, W.,; Heinze, J.,; Heydenreich, J.,; Hummel, R. E.,; Iwanov, D.,; Jegerlehner, K.,; Jost, K. H.,; Kaischew, R.,; Kaner, E. A.,; Kleber, W .,; Klebert, W.,; Klein, N.,; Kostov, I.,; Kühn, G.,; Laudise, R. A.,; Liebau, F.,; Lösche, A.,; Messerschmidt, A.,; Mietz, I.,; Mohr, U.,; Muschner, W.,; Männel, Chr.,; Müller-Jahreis, U.,; Nanev, Chr.,; Neels, H.,; Neff, V. D.,; Neuhaus, A.,; Neumann, H.,; Pietzsch, C.,; Pollak, M.,; Pupke, H.,; Saalfeld, H.,; Sackmann, H.,; Schenk, M.,; Schmidt, W.,; Schubert, G.,; Schulze, G. E. R.,; Seitz, F.,; Sheftal, N. N.,; Skobov, V. G.,; Sprenger, H.,; Stepanova, A. N.,; Stoyanov, S.,; Stoycheva, R.,; Stähr, S.,; Tannhauser, D. S.,; Toschev, S.,; Turnbull, D.,; Ullner, Ch.,; Ullrich, H.-J.,; Voigt, R.,; Wilke, K.-Th.,; Wäsch, E.,
• Place / Publishing House: Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]; ©1972
• Year of Publication: 2022
• Edition: Reprint 2022
• Language: German
• Series: Kristall und Technik ; Band 7, Heft 1-3
• Physical Description: 1 online resource (396 p.)

Table of Contents

• Frontmatter
• Hinweise für die Autoren
• Inhalt
• Vorwort
• Originalbeiträge
• Haidingerite (I). From Crystal Morphology to Bond Assemblage
• Haidingerite (II). From Valence Summation to Hydrogen Bonding
• Structural Morphology of Crystals with the K2CUCl4 - 2 H2O Structure Type
• The Structural Patterns of Crystal Faces and Crystal Growth
• Morphology of Germanium Whiskers
• Nichtstationäre Keimbildung: Theorie und Experiment
• On the Distribution of Impurities during Crystal Growth
• Evaporation of Zinc Single Crystals
• Beiträge zum Ätzen von Galliumarsenid (II) Zur Kinetik der Auflösung von GaAs
• Clusterbildung — ein stochastischer Prozeß
• Der Einfluß der kritischen Clustergröße auf die Clustergrößenverteilung und die Clusterdichte
• Ein Beitrag zur Erzeugung dünner orientierter Antimonfilme auf Einkristallsubstraten durch Hochvakuumkondensation
• The Influence of ASCl3 Impurity on Growth Mechanism and Structure Perfection of Autoepitaxial Germanium Films
• Phasen und Epitaxien in gasnitrierten polykristallinen Fe-Blechen und einkristallinen Fe-Folien
• Transport and Deposition of SiO2 with H2O under Supercritical Conditions
• Wahrscheinlichkeit der Zwillingsbildung in dünnen Schichten von Halbleitersubstanzen mit Diamant- und Zinkblendestruktur
• Epitaxie von Platin auf Strontiumbariumniobat
• Die Kombination der Schwingquarzmethode mit Energieverlustmessungen leichter Ionen zum Nachweis von Adsorptionsschichten an extrem dünnen freitragenden Folien
• Einkristallzüchtung von Titandioxid durch chemische Transportreaktion
• Einkristallzüchtung und Versetzungsätzung von Antimon und antimonreichen Antimon-Wismut-Legierungen
• Röntgenographische Mikrobeugungsuntersuchungen an kristallinen Festkörpern mittels Gitterquelleninterferenzen (Kossel-Linien) und Weitwinkelinterferenzen (Pseudo-Kossel-Linien)
• The Crystal Structure of Ca[Zn2(OH)6] - 2 H2O — a Retarder in the Setting of Portland Cement
• Silicon-Free Compounds with Sodalite Structure
• Die Bestimmung der intrakristallinen Magnesium - Eisen-Verteilung in Orthopyroxenen mit röntgenstrukturanalytischen Mitteln
• Spin Pairing in Spinel-Type Minerals of Iron (II) and Corresponding Phases
• Reflexionselektronenbeugungsuntersuchungen an HV-aufgedampften CdSe-Schichten auf CaF2
• Ein Beitrag zur Lokalisierung von Maskierungs- und Passivierungsfehlern von Deckschichten auf Silizium
• Ein Beitrag zur lichtoptischen Orientierungsbestimmung von Galliumphosphid-Einkristallen
• Bestimmung der Scheibenorientierung und Schichtdicke an epitaktischen Siliziumschichten auf Silizium
• Röntgentopographie von gekrümmten Halbleiterscheiben
• Setting of Crystals on the Precession Camera
• Kernphysikalische Methoden in der Kristallographie und Festkörperphysik
• Untersuchung des Arbeitsprozesses bei elektronenmikroskopischen Arbeiten durch eine Multimoment-Häufigkeitsanalyse
• Mikroanalyse mit kombinierten spektroskopischen Methoden in der Kriminaltechnik
• Buchbesprechung
• Einführung in die Kristallographie
• Kurze Originalmitteilungen
• Neutronographische Untersuchungen an Chromeisenstein nach mechanischer Aktivierung
• Lattice constants of Al0.8 Ga0.2As between -110 °C and +90 °C
• The Melting Point of Silver Bromide The Melting Point of Silver Bromide
• Preparation of Singe Crystals of (N H4)2 SO4
• Buchbesprechungen
• Solid State Physics
• The Growth of Single Crystals
• A Review of the Structure and Physical Properties of Liquid Crystals
• Elementare Prozesse in Gasen und in Grenzschichten
• The Fermi Surfaces of Metals
• Conduction in Low-Mobility Materials
• Plasma Effects in Metals: Helicon and Alfvén Waves
• Strukturdaten der Elemente und intermetallischen Phasen
• Optische Eigenschaften von Metallen und Legierungen