Festkörperprobleme : : In Referaten der Fachausschusses "Halbleiter" der Deutsche Physikalischen Gesellschaft = Advances in Solid State Physics.

Festkörperprobleme : : In Referaten der Fachausschusses "Halbleiter" der Deutsche Physikalischen Gesellschaft = Advances in Solid State Physics. / Band 9, : In Referaten des Fachausschusses „Halbleiterphysik” der Deutschen Physikalischen Gesellschaft München, 19. bis 22. März 1969 zugleich Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE: „Forschung auf dem Gebiet der Halbleiterbauelemente” München, 24. bis 27 / / hrsg. von O. Madelung.

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Superior document:Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990
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Zerbst, M.,
HerausgeberIn:
Madelung, O.,
Place / Publishing House:Berlin ;, Boston : : De Gruyter, , [2022]
©1969
Year of Publication:2022
Edition:Reprint 2021
Language:German
Series:Festkörperprobleme ; Band 9
Online Access:
Physical Description:1 online resource (402 p.) :; 278 Abbildungen
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Reprint 2021
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Festkörperprobleme ; Band 9
Frontmatter -- Vorwort -- Contents / Inhaltsverzeichnis -- Teil I. Referate des Fachausschusses „Halbleiter" / Part I. Plenary Lectures of the Professional Group "Semiconductor Physics" -- Struktur und Bindungsverhältnisse in amorphen Halbleitern -- Charge transport in non-crystalline semiconductors -- Optische und elektrische Eigenschaften von amorphen Halbleitern -- Light Scattering in Semiconductors -- Der Jahn-Teller-Effekt -- Elektrische Instabilitäten in Halb- und Photoleitern -- Über die Physik des Lawinendurchbruches in Halbleitern -- Analytic Properties of Thermodynamic Functions and Phase Transitions -- Die elektronische Bandstruktur in äußeren Magnetfeldern -- Teil II. Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE / Part II. Invited Papers of the European Meeting of the IEEE -- Physical Properties of Transferred-Electron and Avalanche Microwave Devices -- Neue Ergebnisse an MIS-Transistoren -- The Application of Ion Implantation to Semiconductor Devices -- Computer Device Modeling -- Monolithische Speicher -- Thyristoren für hohe Spannungen -- Moderne Verfahren zur Herstellung von Masken für Halbleiterschaltungen
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Issued also in print.
Mode of access: Internet via World Wide Web.
In German.
Description based on online resource; title from PDF title page (publisher's Web site, viewed 01. Dez 2022)
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Title is part of eBook package: De Gruyter DGBA Physical Sciences <1990 9783110637243 ZDB-23-GPS
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Frontmatter --
Vorwort --
Contents / Inhaltsverzeichnis --
Teil I. Referate des Fachausschusses „Halbleiter" / Part I. Plenary Lectures of the Professional Group "Semiconductor Physics" --
Struktur und Bindungsverhältnisse in amorphen Halbleitern --
Charge transport in non-crystalline semiconductors --
Optische und elektrische Eigenschaften von amorphen Halbleitern --
Light Scattering in Semiconductors --
Der Jahn-Teller-Effekt --
Elektrische Instabilitäten in Halb- und Photoleitern --
Über die Physik des Lawinendurchbruches in Halbleitern --
Analytic Properties of Thermodynamic Functions and Phase Transitions --
Die elektronische Bandstruktur in äußeren Magnetfeldern --
Teil II. Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE / Part II. Invited Papers of the European Meeting of the IEEE --
Physical Properties of Transferred-Electron and Avalanche Microwave Devices --
Neue Ergebnisse an MIS-Transistoren --
The Application of Ion Implantation to Semiconductor Devices --
Computer Device Modeling --
Monolithische Speicher --
Thyristoren für hohe Spannungen --
Moderne Verfahren zur Herstellung von Masken für Halbleiterschaltungen
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Struktur und Bindungsverhältnisse in amorphen Halbleitern --
Charge transport in non-crystalline semiconductors --
Optische und elektrische Eigenschaften von amorphen Halbleitern --
Light Scattering in Semiconductors --
Der Jahn-Teller-Effekt --
Elektrische Instabilitäten in Halb- und Photoleitern --
Über die Physik des Lawinendurchbruches in Halbleitern --
Analytic Properties of Thermodynamic Functions and Phase Transitions --
Die elektronische Bandstruktur in äußeren Magnetfeldern --
Teil II. Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE / Part II. Invited Papers of the European Meeting of the IEEE --
Physical Properties of Transferred-Electron and Avalanche Microwave Devices --
Neue Ergebnisse an MIS-Transistoren --
The Application of Ion Implantation to Semiconductor Devices --
Computer Device Modeling --
Monolithische Speicher --
Thyristoren für hohe Spannungen --
Moderne Verfahren zur Herstellung von Masken für Halbleiterschaltungen
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